Det næste store gennembrud i computerverdenen tegner til at blive nye typer hukommelse, som kombinerer hastigheden af DRAM med flash-hukommelsens evne til at holde på data uden strøm. En af de teknologier, som forsøger at udfylde den plads, er MRAM, og nu har et hold forskere fra National University of Singapore muligvis ryddet en væsentlig forhindring af vejen.
MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory, benytter sig, som navnet antyder, af magnetfelter til lagring af data i hukommelseschips.
Ved at lagre data ved hjælp af magnetisme kan data bevares, selvom der ikke er en elektrisk spænding. Det er problemet med de hurtigste hukommelsestyper, der i dag bruges til arbejdshukommelsen i næsten alle typer computere fra pc’er til mobiltelefoner.
Det betyder, at der konstant bliver brugt strøm for at holde data i hukommelsen, og hvis strømmen forsvinder, går dataene tabt. Flash-hukommelse, som bruges til langtidslagring i SSD-drev og som lagerplads i mobile enheder, kan bevare data uden strøm, men kan kun holde til et begrænset antal overskrivninger. Hastigheden for flash-hukommelse måles desuden i mikrosekunder, mens DRAM-hastigheder måles helt ned i nanosekunder.
Det er derfor, forskere i øjeblikket arbejder med flere teknologier, som kan forene det bedste fra de to verdener, hvor forskellige varianter af MRAM og memristorer ser ud til at være de bedste bud.
Hidtil har den bedste metode til MRAM-fremstilling været meget tynde ferromagnetiske lag i chippen, hvor magnetfelter induceres horisontalt. Det har imidlertid betydet, at chippene kun har kunnet pålideligt holde på data i op til ét år.
Forskerne fra National University of Singapore har udviklet en teknologi, hvor flere lag lægges oven på hinanden til både transport af data og lagring. Det tykkere lag skulle øge holdbarheden til 20 år ifølge forskerne
Ifølge en pressemeddelelse vil forskerne nu finde en samarbejdspartner til videreudvikling af teknologien, så den kan implementeres i hukommelseschips.
Leave a Reply