EEPROM (Elektrisk sletbare programmerbar skrivebeskyttet hukommelse) og Flash hukommelse er begge ikke-flygtige hukommelsesteknologier, hvilket betyder, at de kan gemme data, selv når strømmen er afbrudt. Der er dog nogle vigtige forskelle mellem de to teknologier.

* EEPROM er en type skrivebeskyttet hukommelse, der kan slettes og omprogrammeres flere gange. Slet-/skrivecyklustiden for EEPROM er imidlertid relativt langsom, typisk i størrelsesordenen millisekunder eller endda sekunder.

* Flash hukommelse, på den anden side, er en type ikke-flygtig hukommelse, der kan slettes og omprogrammeres meget hurtigere end EEPROM. Flash-hukommelsessletning/skrivecyklustider er typisk i størrelsesordenen mikrosekunder eller endda nanosekunder.

En anden forskel mellem EEPROM og Flash-hukommelse er antallet af slette-/skrivecyklusser, som hver teknologi kan modstå. EEPROM er typisk vurderet til 10.000 til 100.000 slette-/skrivecyklusser, mens Flash-hukommelse typisk er normeret til 100.000 til 1.000.000 slette-/skrivecyklusser.

Endelig er EEPROM og Flash-hukommelse forskellige i deres pris pr. bit. EEPROM er typisk dyrere end Flash-hukommelse, selvom prisen pr. bit for begge teknologier har været faldende i de seneste år.

Generelt er EEPROM bedst egnet til applikationer, hvor data skal lagres og tilgås sjældent, såsom i konfigurationsindstillinger eller kalibreringsdata. Flash-hukommelse er bedst egnet til applikationer, hvor data skal lagres og tilgås hurtigt, såsom i indlejrede systemer eller USB-drev.

Her er en tabel, der opsummerer de vigtigste forskelle mellem EEPROM og Flash-hukommelse:

| Funktion | EEPROM | Flash |

|---|---|---|

| Slet/skriv cyklus tid | Millisekunder til sekunder | Mikrosekunder til nanosekunder |

| Antal slette-/skrivecyklusser | 10.000 til 100.000 | 100.000 til 1.000.000 |

| Pris pr. bit | Dyrere | Billigere |

| Bedst egnet til | Applikationer, hvor data skal lagres og tilgås sjældent | Applikationer, hvor data skal lagres og tilgås hurtigt |