Pseudomorphic høj elektron mobilitet transistorer ( PHEMTs ) er høj- gain , støjsvage transistorer , der fungerer godt med mikrobølge signaler. At forstå, hvordan PHEMTs virker , er du nødt til at forstå, hvordan tidligere typer af transistorer arbejde. Disse omfatter junction transistorer, felteffekttransistorer ( FETs ) og høje elektron mobilitet transistorer ( HEMTs ) . Junction transistorer

Ligesom alle transistorer kan en junction transistor fungere enten som en elektronisk kontakt ( bruges i computere ) eller en forstærker ( brugt i radioer ) . Dette er fordi energi påføres en junction styrer strømmen gennem to andre knudepunkter. For switching, starter den kontrollerende energi og standser strømmen. For forstærkning , producerer den styrende energi en større strøm.

Alle transistorer omfatter lag af krystal -lignende halvleder materialer. Tilstedeværelsen af små urenheder i disse materialer afgør, om de er N-type halvledere eller en P-type halvledere . N-type halvledere har et par ekstra elektroner i deres struktur , på grund af indførelsen af urenheder . P-type halvledere har et par "huller ", hvor elektroner mangler på grund af indførelsen af ​​forskellige urenheder . Junction transistorer omfatter tre bittesmå lag af disse to materialer.
Felteffekttransistorer

Ligesom junction transistorer , FETs bruge tre lag af N- type og P-type halvledere. I en NPN transistor , sidder en enkelt P - type halvleder mellem to N -type halvledere . Hvis denne centrale splint ikke er tilsluttet en strømkilde , kan en strøm flyde gennem hele transistor ( dvs. fra N , gennem P , til den anden N) med noget besvær , afhængigt af den nøjagtige tykkelse af de tre lag . < br >

Hvis den centrale P-type splint sluttes til en strømkilde, dette ændrer , hvordan N- til- N strøm . Hvis P- strømmen er stærkt nok , transistor er en switch . Ellers transistoren er en forstærker .

FET adskiller sig fra en junction transistor i form af dens lag . I en FET , er en af ​​de halvledere en lille prik på et meget større plade af den anden type . Denne tendens til at tvinge den nuværende i kanaler styres af elektriske felter ( deraf navnet) .