Random Access Memory (RAM) er computerens hukommelse , at edb-programmer kan bruge. Det tillader data , der skal tilgås t nogen tid , uanset dens RAM placering og uden fysisk bevægelse af læsehovedet til den placering, der indeholder dataene. Dette gør RAM hurtigere og således mere egnet end andre typer af hukommelse til anvendelse som den primære computer hukommelse . FPM DRAM

FPM DRAM eller Fast- Page-mode Dynamic Random - Access Memory , var den oprindelige type dynamisk RAM. Det får adgang til data ved at cykle gennem alle lagercellen kolonner og rækker , indtil den ønskede bit data tilgås , og derefter gentage processen for den næste bit af data . Data fra hver bit bliver læst , og derefter behandles, før man går videre til den næste bit , hvilket gør det ret langsom efter dagens standarder , på trods af sit navn. Det kan levere dataadgang hastigheder på op til 176 Mbps.
EDO DRAM

Extended data -Out Dynamic Random - Access Memory eller EDO DRAM bruger samme adressering koncept som anvendes af FPM DRAM , cykling gennem hele hukommelsen celler ved rækker og kolonner , indtil den ønskede bit er fundet . Forskellen er imidlertid, at ved placering af adressen på den første bit , betyder det ikke vente indtil den første bit er helt bearbejdes og straks går videre til at lokalisere adressen på den næste bit , hvilket resulterer i en forbedret ydeevne over det leveres af FPM DRAM, med overførselshastigheder til L2 cache på op til 264 Mbps.
SDRAM

stående for Synchronous Dynamic Random Access Memory , SDRAM bruger en teknik kaldet burst mode at levere høj ydeevne. Konceptet er der normalt er de nødvendige data placeret i RAM i rækkefølge . Således , ved at placere den første bit , bliver det på samme række og hurtigt kontrollerer bits ved skiftende søjler kun , således at læse de næste celler sekventielt . Dette er blandt de mest almindelige typer af RAM er i brug og tilbyder dataoverførsel hastigheder på op til 1.066 GBps .
DDR SDRAM

DDR står for Double Data Rate. Det forbedrer endvidere på SDRAM ved at lade data kan læses to gange for hver taktcyklus , i stedet for én gang som i tilfælde af regelmæssig SDRAM . Dette forbedrer ydeevnen og giver peak overførselshastigheder på op til 3,2 GBps . DDR og efterfølgeren DDR 2 er blevet memory standard , der opererer på det samme centralt begreb alene med mere kompetent hardware, leverer hastigheder på omkring 8 GBps som anført på Technibble . Den seneste udvikling i denne linje af hukommelse , kaldet DDR 3 , lover over 12 GBps .
RDRAM

modsætning til de tidligere typer af DRAM , som alle er blevet forbedret på den samme kerne koncept, Rambus DRAM eller RDRAM bruger en anden arkitektur. Virksomheden beskæftiger en særlig databus kendt som Rambus kanal at få adgang til hukommelse celler med høje hastigheder parallelt med hastigheder på op til 6,4 Gbps med videreudviklet versioner på samme koncept kaldet XDR DRAM og XDR2 DRAM eller eXtreme Data Rate DRAM 1, og 2 tilbyder endnu højere hastigheder. Da ekstra strøm bliver brugt af den specialiserede Rambus -kanal interface, RDRAM -moduler kaldet RIMMs varme op hurtigere og kræver ekstra køling .