At sparke det dyre silicium af banen som foretrukket halvledermateriale har hidtil været en svær opgave, men måske er det nu lykkedes for to amerikanske universiteter, der sammen har udviklet, hvad de kalder verdens hurtigste organiske tyndfilmstransistor.
De har formået at gøre transistoren så hurtig, at den kan konkurrere med silicium i modsætning til tidligere forsøg med lignende transistorer, som har været mindst fem gange langsommere, skriver Stanford University i en meddelelse.
Stanford står sammen med University of Nebraska-Lincoln bag komponenten, som i tests har udvist egenskaber, som kan sammenlignes med de siliciumkonkurrenter, der f.eks. bliver brugt i buede tv-skærme, som organiske transistorer vil være oplagte til.
Forskerne har blandt andet sat hastigheden op på den roterende glasplade, som man typisk bruger til at dryppe blandingen af det organiske materiale C8-BTBT samt polystyren ned på for at fordele det tyndt og jævnt.
Derudover var fremgangsmåden at droppe den gængse metode med at spinne materialet fra centret og ud. I stedet nøjedes forskerne med at dække et område på pladen, der svarer til størrelsen på et frimærke. Disse små ændringer var tilstrækkeligt til, at de organiske molekyler blev pakket tættere, hvilket gav elektriske ladninger mulighed for at nå hurtigere igennem transistoren.
Endnu, understreger forskerne, kan de ikke helt præcist kontrollere tilpasningen af de organiske materialer og sikre en ensartet mobilitet, men når det sker, vil vejen være banet for virkelig effektiv elektronik, som tilmed kan gøres gennemsigtig.
Allerede nu er det lykkedes at opnå 90 procent gennemsigtighed, understreger forskerne, som har fået forskningen publiceret i Nature Communications.
Leave a Reply