Her er den mulige afløser til flash: Arbejder otte gange hurtigere

Det japanske teknologiselskab TDK er klar med sin første prototype på en helt ny hukommelses-teknologi, som selskabet mener meget vel kan komme til at afløse den meget udbredte flash-hukommelses-teknologi.

Den nye chip-teknologi bygger på MRAM (‘magnetoresistive random access memory’).

TDK kalder den for STT-MRAM.

Ifølge TDK er fordelen, at MRAM kan læse og skrive data lige så hurtigt som de hurtige, men flygtige, SRAM- og DRAM-teknologier og samtidig opbevare data uændret i mange år, som også flash-hukommelse er i stand.

TDK har arbejdet på teknologien i flere år, men det er første gang, at selskabet fremviser chippen.


Læser og skriver otte gange hurtigere
Det er sket på den store Ceatec-messe i Tokyo, hvor TDK har opstillet en demonstration, hvor en STT-MRAM-chip henholdsvis læser og skriver data løbende ved siden af en NOR-flash-chip, der bliver udsat for samme belastning.

Ifølge Computerworlds nyhedstjeneste kan man her se, at STT-MRAM-chippen kan læse og skrive data cirka syv gange hurtigere end flash-chippen.

Der er dog endnu ikke nogen grund til at skynde sig hjem for at kyle alle sine flash-enheder i skraldespanden, for TDK vurderer, at STT-MRAM-teknologien først vil være færdigudviklet og klar til kommerciel udrulning i stor skala om 10 år.


Posted in computer.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

You may use these HTML tags and attributes: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>