Ganske små samlinger af kulstofatomer arrangeret i et hønsenetlignende mønster kan holde på elektriske ladninger, og derfor kan de bruges til flash-hukommelse. Det har sydkoreanske forskere fra Kyung Hee University fundet ud af, skriver webmediet Phys.org.
Flash-hukommelse bruges i stor stil i elektroniske enheder, ikke mindst til datalagring i smartphones. I dag er flash-hukommelse baseret på silicium, men de uhyre små kvantepunkter af grafen kan måske give hukommelse, hvor data kan pakkes tættere, og som er mere pålidelig.
Små defekter i det polykrystallinske silicium, der normalt bruges til flash-hukommelse, kan få de elektriske ladninger til at vandre og medføre fejl, og det problem kan man komme udenom ved i stedet at lade de diskrete kvantepunkter holde på ladningerne.
Forskerne forsøgte sig med kvantepunkter i tre forskellige størrelser, nemlig 6, 12 og 27 nanometer. Til sammenligning er afstanden mellem kulstofatomerne i grafen 0,142 nanometer.
Kvantepunkterne på 12 nanometer var dem, der hurtigst kunne forsynes med en ladning, mens dem på 27 nanometer var de hurtigste, når det gjaldt om at fjerne ladningen igen. De største kvantepunkter var også de mest stabile.
Det er første gang, at grafen-kvantepunkter er blevet brugt til elektronik, der er praktisk anvendeligt, fortæller Suk-Ho Choi fra forskergruppen til Phys.org.
Flash-hukommelsen baseret på kvantepunkter kan endnu ikke konkurrere med almindelig flash-hukommelse, men forskningen på området er også kun lige begyndt.
En videnskabelig artikel om forskningsresultatet er publiceret i tidsskriftet Nanotechnology.
Leave a Reply